
3000万辆,新能源汽车占比近80%。 谈及传统硅基IGBT,他认为存在四大不足,第一,开关损耗大,高频工况效率偏低。第二,耐高温能力有限。第三,开关频率低,系统体积与重量难以下探。第四,难以支撑 800V 以上平台长期发展。 他认为,全面向第三代半导体升级,是必然技术路线,SiC/GaN 器件凭借其优异的物理特性,将彻底解决上述痛点,推动产业革新。 谈及未来3-5年的关键趋势,他认为,第一
sp; (서울=연합뉴스) 윤동진 기자 = 이재용 삼성전자 회장이 16일 서울 김포비즈니스항공센터를 통해 귀국하며 입장문 발표를 위해 서 있다. 2026.5.16 mon@yna.co.kr
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